°³¶ËÀ̳׿¡¼­ ÆÇ¸ÅµÈ "µðÁöÅÐÀüÀÚȸ·Î & ÀüÀÚ°è»ê±â ÀϹÝ"     Á¤°¡ 22,000¿ø   Æò±ÕÇÒÀΰ¡
Ãß°¡ °Ë»ö Çϱâ
ÃÑ 2°³ÀÇ µµ¼­°¡ ÀÖ½À´Ï´Ù.
µµ¼­À̹ÌÁö µµ¼­¸í »óÅ °¡°Ý ÆǸÅÀÚ

µðÁöÅÐÀüÀÚȸ·Î & ÀüÀÚ°è»ê±â ÀϹÝ
»õÃ¥ 
23,750¿ø

¹«·á¹è¼Û
Ã¥°¡¹æ
ÆǸŵµ¼­(328,774±Ç)

µðÁöÅÐÀüÀÚȸ·Î & ÀüÀÚ°è»ê±â ÀϹÝ
»õÃ¥ 
23,750¿ø

¹«·á¹è¼Û
»õÃ¥Àü¹®Á¡
ÆǸŵµ¼­(360,129±Ç)
 

»ó¼¼Á¤º¸

PART 1 µðÁöÅÐ ÀüÀÚȸ·Î
CHAPTER 01 ÀüÀÚȸ·Î
1 ¹ÝµµÃ¼
ÇٽɱâÃâ¹®Á¦
2 Àü¿ø ȸ·Î(power circuit, ï³ê¹üÞÖØ)
ÇٽɱâÃâ¹®Á¦
3 Æ®·£Áö½ºÅÍ ÁõÆøȸ·ÎÀÇ ÀúÁÖÆÄ Çؼ®
ÇٽɱâÃâ¹®Á¦
4 Æ®·£Áö½ºÅÍ ÁõÆøȸ·ÎÀÇ °íÁÖÆÄ Çؼ®
ÇٽɱâÃâ¹®Á¦
5 Àü°èÈ¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ(FET:field effect transistor)
ÇٽɱâÃâ¹®Á¦
6 ´Ù´ÜÁõÆøȸ·Î
ÇٽɱâÃâ¹®Á¦
7 ¿¬»êÁõÆøȸ·Î
0ÇٽɱâÃâ¹®Á¦
8 µ¿Á¶Çü ÁõÆøȸ·Î
ÇٽɱâÃâ¹®Á¦
9 Àü·Â ÁõÆø±âȸ·Î
ÇٽɱâÃâ¹®Á¦
10 ¹ßÁøȸ·Î
ÇٽɱâÃâ¹®Á¦
11 º¯Á¶È¸·Î
ÇٽɱâÃâ¹®Á¦
12 º¹Á¶È¸·Î
ÇٽɱâÃâ¹®Á¦
13 ÆÞ½ºÈ¸·Î
ÇٽɱâÃâ¹®Á¦
CHAPTER 02 ³í¸®È¸·Î
1 ¼öÀÇ Ç¥Çö°ú ¿¬»ê
2 ³í¸®Àû ¿¬»ê(ºñ¼öÄ¡Àû ¿¬»ê)
3 ÀÚ·áÀÇ Ç¥Çö
4 µðÁöÅÐ ³í¸®È¸·Î
5 ³í¸® °ÔÀÌÆ® ¼³°è
ÇٽɱâÃâ¹®Á¦

PART 2 ÀüÀÚ°è»ê±â ÀϹÝ

CHAPTER 01 ÀüÀÚ°è»ê±âÀÇ ±âº» ±¸Á¶¿Í ±â´É
1 ÄÄÇ»ÅÍÀÇ °³¿ä
2 Áß¾Óó¸®ÀåÄ¡ÀÇ ±¸¼º ¿ä¼Ò¿Í Ư¡
3 ±â¾ïÀåÄ¡ÀÇ Á¾·ù¿Í Ư¡
4 ÀÔ, Ãâ·ÂÀåÄ¡
CHAPTER 02 ÀÚ·á Ç¥Çö ¹× ¿¬»ê
1 ÀÚ·áÀÇ ±¸¼º°ú Ç¥Çö ¹æ½Ä
2 ¼öÀÇ Ã¼°è ¹× Áø¹ý º¯È¯
3 ¼öÄ¡ µ¥ÀÌÅÍÀÇ Ç¥Çö ¹æ¹ý
4 ÄÚµåÀÇ Ç¥Çö Çü½Ä
5 ³í¸®Àû ¿¬»ê(ºñ¼öÄ¡Àû ¿¬»ê) ¹× ¼öÄ¡Àû ¿¬»ê
CHAPTER 03 ¸í·É¾î ¹× ÇÁ·Î¼¼¼­
1 ¸í·É¾îÀÇ ±¸Á¶¿Í Çü½Ä
2 ¼­ºê·çƾ(subroutine)°ú ½ºÅÃ(stack)
3 ÇÁ·Î¼¼¼­
4 ·¹Áö½ºÅÍ
CHAPTER 04 ¸í·É¾î ¼öÇà ¹× Á¦¾î
1 ¸í·É¾î ¼öÇà
2 Á¦¾î
CHAPTER 05 ±â¾ïÀåÄ¡
1 ±â¾ïÀåÄ¡ÀÇ Á¾·ù¿Í Ư¡
2 ÁÖ ±â¾ïÀåÄ¡
3 º¸Á¶ ±â¾ï ÀåÄ¡
4 ij½Ã ¹× ¿¬°ü ±â¾ï ÀåÄ¡
CHAPTER 06 ÀÔ·Â ¹× Ãâ·Â
1 ÀÔ, Ãâ·Â ½Ã½ºÅÛ
2 DMA ¹× ä³Î
CHAPTER 07 ÀÎÅÍ·´Æ®
1 ÀÎÅÍ·´Æ®ÀÇ °³³ä ¹× ¿øÀÎ
2 ÀÎÅÍ·´Æ® üÁ¦
CHAPTER 08 ¿î¿µÃ¼Á¦¿Í ±âº» ¼ÒÇÁÆ®¿þ¾î
1 ÇÁ·Î±×·¡¹Ö °³³ä
2 ¼ø¼­µµ
3 ÇÁ·Î±×·¡¹Ö ¾ð¾î
4 ¿î¿µÃ¼Á¦(O.S)
5 ÇÁ·Î±×·¥ ¿ë¾î
ÇٽɱâÃâ¹®Á¦(ÀüÀÚ°è»ê±âÀÏ¹Ý »ê¾÷±â»ç Çʱâ)
 

¼­Æòº¸±â

´ÜÇົ BEST µµ¼­

³ªÀǼîÇÎ

  • Ä«µå³»¿ªÁ¶È¸
  • ¸¸Á·µµº¸±â
  • ÆǸÅÀÚº¸±â

ÃÖ±Ùº»»óÇ°

Àå¹Ù±¸´Ï

TOP